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  • 型号: BC 857B E6433
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC 857B E6433由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC 857B E6433价格参考。InfineonBC 857B E6433封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC 857B E6433参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC 857B E6433 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-23两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BC 857B E6433-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bc856series_bc857series_bc858series_bc859series_bc860series.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca389011541da0e3a1661

产品型号

BC 857B E6433

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PG-SOT23-3

其它名称

BC 857B E6433-ND
BC857BE6433
BC857BE6433BTMA1
BC857BE6433HTMA1
BC857BE6433XT
SP000010648

功率-最大值

330mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Infineon Technologies

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

10000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

330 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

800 at 2 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

220

系列

BC857

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

650 mV

集电极连续电流

100 mA

零件号别名

BC857BE6433HTMA1 SP000010648

频率-跃迁

250MHz

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